芯片在封裝完畢后，可能存在潛在缺陷，這些會(huì)導(dǎo)致芯片性能不穩(wěn)定或者功能上存在潛在缺陷，如果這些存在潛在缺陷的芯片被用在關(guān)鍵設(shè)備上，有可能發(fā)生故障，造成用戶損失或者危險(xiǎn)。而老化試驗(yàn)的目的就是在一定時(shí)間內(nèi)，把芯片置于一定的溫度下，再施于特定的電壓，加速芯片老化，使芯片可靠性提前度過(guò)早期失效期，直接到達(dá)偶然失效期（故障偶發(fā)期），保證了交到顧客手中的芯片工作性能的穩(wěn)定性和可靠性。

　　芯片測(cè)試不僅僅是“挑剔"“嚴(yán)苛"就可以，還需要全流程的控制與參與。從芯片設(shè)計(jì)、芯片開(kāi)啟驗(yàn)證、芯片流片到進(jìn)入量產(chǎn)階段測(cè)試，每個(gè)階段都需要解決相應(yīng)的訴求，解決如何持續(xù)的優(yōu)化流程，提升程序效率，縮減時(shí)間，降低成本等問(wèn)題。量產(chǎn)階段測(cè)試尤為重要，所以說(shuō)芯片測(cè)試不僅僅是成本的問(wèn)題，而是平衡質(zhì)量、效率的與成本的關(guān)鍵，當(dāng)然除了芯片的老化試驗(yàn)，其他的可靠性測(cè)試也十分重要。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用于芯片的失效分析、特性分析，可以進(jìn)行帶夾具的測(cè)試，為芯片測(cè)試提供更廣泛的溫度范圍，提供了溫度轉(zhuǎn)換測(cè)試能力。高低溫沖擊測(cè)試系統(tǒng)同時(shí)能應(yīng)用于高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試等可靠性試驗(yàn)，經(jīng)長(zhǎng)期的多工況驗(yàn)證，滿足各類生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測(cè)試系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體測(cè)試中的溫度測(cè)試模擬，具有寬的溫度方向和高溫升降，溫度范圍-92℃~250℃，適用于各種測(cè)試要求。適用于電子元件的準(zhǔn)確溫度控制。在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子組件制造中，IC封裝組裝、工程和生產(chǎn)測(cè)試階段包括電子熱測(cè)試和其他溫度（-45℃至+250℃）下的環(huán)境測(cè)試模擬。