微流控芯片溫度控制主要運用在芯片行業中，那么，對于微流控芯片溫度控制中的一些專業術語，我們需要了解清楚，才能更有效的運行微流控芯片溫度控制裝置。

　　微流控芯片溫度控制中CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。現在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。CP對整片Wafer的每個Die來測試

　　而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數來監控各步工藝是否正常和穩定。

　　微流控芯片溫度控制CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高。

　　微流控芯片溫度控制FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CPpassed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試；CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

　　對于微流控芯片溫度控制測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試，在FT時就不用再次進行測試了，節省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點。還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，1個是監控前道工藝良率，另一個是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項比FT要少些。簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項只能在封裝后的FT測。不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。

　　微流控芯片溫度控制中的專業術語可能大多數人都不是很懂，但還是建議用戶多多了解相關專業知識更好的運行微流控芯片溫度控制。(本文來源網絡，如有侵權請聯系刪除，謝謝)